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LWN1H5160A23
N沟道功率MOSFET，采用先进沟槽技术和设计，具有快速开关、低栅极电荷和导通电阻、低反向传输电容等特性，适用于电池开关、硬开关和高频电路、电源管理等应用
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- 商品型号
- LWN1H5160A23
- 商品编号
- C54221200
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2302克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 896pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
LWN1H5160A23采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用。封装形式为SOT - 223，符合ROHS标准和无卤标准。
商品特性
- 快速开关
- 低栅极电荷和导通电阻（RDS(ON)）
- 低反向传输电容
应用领域
- 电池开关应用
- 硬开关和高频电路
- 电源管理