温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
LWN2007A4
采用沟槽技术设计的N沟道功率MOSFET，具有低栅极电荷和低导通电阻，开关速度快，适用于多种应用
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 商品型号
- LWN2007A4
- 商品编号
- C54221204
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.49304克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 680mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.968nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 306pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 312pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |
商品概述
LWN2007A4采用沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用。封装形式为TO - 252，符合ROHS标准和无卤标准。
商品特性
- 快速开关
- 低栅极电荷和低导通电阻RDS(ON)
- 低反向传输电容
应用领域
- DC - DC转换器
- 便携式设备
- 电源管理