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LWN3016AD3

采用沟槽技术的N沟道功率MOSFET,具有快速开关、低栅极电荷和导通电阻的特点,适用于DC-DC转换器和便携式设备电源管理

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商品型号
LWN3016AD3
商品编号
C54221212
商品封装
PDFN-8L(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.1036克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))8mΩ@10V
耗散功率(Pd)20W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)16.9nC
属性参数值
输入电容(Ciss)741pF
反向传输电容(Crss)98pF
工作温度-
配置-
类型-
输出电容(Coss)112pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

LWN3016AD3采用沟槽技术和设计,提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。它可用于各种应用。封装形式为PDFN3.3×3.3 - 8L,符合ROHS标准和无卤标准。

商品特性

  • 快速开关
  • 低栅极电荷和导通电阻(RDS(ON))
  • 低反向传输电容

应用领域

  • DC - DC转换器
  • 便携式设备
  • 电源管理

数据手册PDF