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LWN4013AQ

N沟道功率MOSFET,采用沟槽技术,具有低栅极电荷和导通电阻,适用于DC-DC转换器等

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商品型号
LWN4013AQ
商品编号
C54221220
商品封装
SOT-89-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.1818克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))11mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.9W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
栅极电荷量(Qg)26nC
属性参数值
输入电容(Ciss)1.199nF
反向传输电容(Crss)85pF
工作温度-
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)93pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

LWN4013AQ采用沟槽技术和设计,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。它可用于多种应用。封装形式为SOT89 - 3L,符合ROHS标准和无卤标准。

商品特性

  • 快速开关
  • 低栅极电荷和导通电阻(RDS(ON))
  • 低反向传输电容

应用领域

  • DC - DC转换器
  • 便携式设备
  • 电源管理

数据手册PDF