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NXV100XPR-TP
采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET，适用于负载开关和PWM应用
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- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- NXV100XPR-TP
- 商品编号
- C54194958
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031967克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.34nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 390pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 54.5pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |