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TPNTMFS4C08NT1G
N沟道MOSFET，具备快速开关、改善dv/dt能力和100% EAS保证
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- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPNTMFS4C08NT1G
- 商品编号
- C54195067
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1234克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 340pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 475pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 30V、90A，在VGS = 10V时RDS(ON) = 4.5mΩ
- 改善的dv/dt能力
- 快速开关
- 100%保证EAS
- 有绿色环保器件可选
应用领域
- MB / VGA / Vcore
- POL应用
- SMPS二次侧同步整流