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IXFQ28N60P3-VB
N沟道；电压：650V；电流：47A；导通电阻：50(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO3P；N—Channel沟道；650V；47A；RDS(ON)=50(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IXFQ28N60P3-VB
- 商品编号
- C54177234
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.34克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低品质因数（FOM），即导通电阻（Ron）×栅极电荷（Qg）
- 低输入电容（Ciss）
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷（Qg）
- 雪崩能量额定（UIS）
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源（SMPS）
- 功率因数校正电源（PFC）
- 照明
- 高强度气体放电灯（HID）
- 荧光镇流器照明
- 工业领域
- 焊接
- 感应加热
- 电机驱动
- 电池充电器
- 可再生能源
- 太阳能（光伏逆变器）