温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 100 | |
| 特征频率(fT) | 50MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 4V | |
| 数量 | 1个PNP | |
| 配置 | 独立式 |
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| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 100 | |
| 特征频率(fT) | 50MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 4V | |
| 数量 | 1个PNP | |
| 配置 | 独立式 |