温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MDD2333
P沟道增强型MOSFET，具备低导通电阻、快速开关和出色雪崩特性，适用于便携式设备负载开关等
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 小封装信号MOSFET产品，P沟道，耐压：-18V，电流：-7.0A, Rdson：18mR
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD2333
- 商品编号
- C54157814
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042395克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 18V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.21nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 290pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
这款18V P沟道MOSFET基于独特的器件设计，可实现低导通电阻（RDS(ON)）、快速开关和出色的雪崩特性。
商品特性
- VDS = -18V，ID = -7A，在VGS = 4.5V时，RDS(on)典型值为18mΩ
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
应用领域
- 便携式设备的负载开关
- 电池供电系统
- DC-DC转换器
- LCD显示器逆变器
- 便携式设备