Name: micron(美光) MT29F32G08ABAAAWP-ITZ:A TR
Brand: micron(美光)
SKU: C5128613
Price: 550 CNY
Availability: InStock

符合开放NAND闪存接口2.2版本规范
采用单层单元技术
组织结构：x8位宽页大小为8640字节；块大小为128页；每个晶片包含2个平面，每个平面有2048个块；器件容量：32Gb对应4096个块，64Gb对应8192个块，128Gb对应16384个块，256Gb对应32768个块
同步输入/输出性能：最高支持同步时序模式5；时钟频率：10纳秒；每引脚读写吞吐量：200 MT/s
异步输入/输出性能：最高支持异步时序模式5；读/写周期时间：20纳秒；每引脚读写吞吐量：50 MT/s
阵列性能：读取页时间：35微秒；编程页时间：350微秒；擦除块时间：1.5毫秒
工作电压范围：VCC：2.7~3.6V；VCCQ：1.7~1.95V，2.7~3.6V
命令集：符合开放NAND闪存接口NAND闪存协议
高级命令集：支持编程缓存、顺序读取缓存、随机读取缓存、一次性可编程模式、多平面命令、多逻辑单元操作、读取标识符、回拷操作
出厂时首个块有效
上电后需首先执行复位命令
操作状态字节提供软件方法用于检测操作完成、通过/失败条件以及写保护状态
数据选通信号为同步接口中的数据信号提供硬件同步方法
支持在读取数据所在的平面内进行回拷操作
质量与可靠性：数据保持能力符合JESD47G标准；耐久性：60000次编程/擦除循环
工作温度范围：商业级：0℃ ~ +70℃；工业级：-40℃ ~ +85℃
封装形式：52焊盘LGA、48引脚TSOP、100球BGA、132球BGA

	属性	参数值
	块擦除时间(tBE)	1.5ms
	数据保留 - TDR(年)	-
	工作温度	-40℃~+85℃
	待机电流	-
	擦写寿命	6万次
	功能特性	硬件复位功能；硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；软件复位功能；复制回写功能

MT29F32G08ABAAAWP-ITZ:A TR

商品参数