温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT53E1G32D2FW-046 AIT:B TR
MT53E1G32D2FW-046AIT:B
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- micron(美光)
- 商品型号
- MT53E1G32D2FW-046 AIT:B TR
- 商品编号
- C5128624
- 商品封装
- TFBGA-200(10x14.5)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4X SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 2.133GHz | |
| 存储容量 | 32Gbit | |
| 工作电压 | 1.06V~1.17V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能 |
商品特性
- 统一LPDDR4和LPDDR4X产品，支持LPDDR4X 0.6V VDDQ操作；作为LPDDR4设备时，VDDQ为1.10V
- 核心与输入/输出供电电压：VDD1 = 1.70 ~ 1.95 V，标称1.80 V；VDD2 = 1.06 ~ 1.17 V，标称1.10 V；VDDQ = 1.06 ~ 1.17 V，标称1.10 V 或 低VDDQ = 0.57 ~ 0.65 V，标称0.60 V
- 频率范围：2133 ~ 10 MHz，数据速率范围：每引脚4266 ~ 20 Mb/s
- 16n预取双倍数据速率架构，每个通道8个内部存储体支持并发操作
- 单数据速率命令/地址输入，每个字节通道支持双向/差分数据选通
- 可编程读/写延迟，可编程及动态突发长度
- 支持定向按存储体刷新，便于命令调度
- 片上温度传感器控制自刷新速率，支持部分阵列自刷新
- 可选的输出驱动强度，支持时钟停止功能
- 符合RoHS标准的环保封装
- 可编程VSS端接，支持单端时钟和数据选通