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MT29F4G08ABAFAWP-IT-F
MT29F4G08ABAFAWP-IT:F
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- 描述
- MT29F4G08ABAFAWP-IT-F 是一种 4Gb x8 多路复用 NAND Flash 存储器，具有 64 页/块，每页 2,112 字节（2,048 + 64 字节）。支持 300μs 的页编程时间和 2ms 的块擦除时间，数据保留时间为 10 年。
- 品牌名称
- micron(美光)
- 商品型号
- MT29F4G08ABAFAWP-IT-F
- 商品编号
- C5128614
- 商品封装
- TSOP-48
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 300us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 2ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | - | |
| 擦写寿命 | - | |
| 功能特性 | 硬件写保护功能；读缓存功能；软件复位功能；复制回写功能 |
- MT40A4G4NEA-062E-R
- MT46H16M32LFB5-5 IT:C
- MT46V32M16P-5BIT-J
- MT48LC16M16A2P-6A:G
- MT53E1G32D2FW-046 AAT:B
- MT53E1G32D2FW-046 AIT:B TR
- MT53E1G32D2FW-046 IT:B TR
- MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B TR
- MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B TR
- 21X0250V473K05BLAY
- TSHT5.8-01
- BL13232ETS
- SGM2521YS8G/TR
- SR1010-28QFN-TR
- 0507
- 116001
- 116002
- 116003
- 116004
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