- 引脚图
- 焊盘图
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PBLS2022D,115
PBLS2022D,115
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PBLS2022D,115
- 商品编号
- C551792
- 商品封装
- SOT-457
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置,1个PNP | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V；20V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA；1.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 760mW | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 直流电流增益(hFE) | 30 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 2.5V@20mA,0.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV@100uA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | - | |
| 输入电阻 | 6.1kΩ | |
| 电阻比率 | 1.2 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 210mV | |
| 特征频率(fT) | 130MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
商品概述
采用SOT457 (SC-74)小型表面贴装器件(SMD)塑料封装的PNP低VCEsat小信号突破型(BISS)晶体管和NPN带电阻晶体管(RET)。
商品特性
- 单封装集成低VCEsat (BISS)晶体管和带电阻晶体管
- 与MOSFET相比，阈值电压低(< 1 V)
- 节省空间的解决方案
- 减少元件数量
- 通过AEC-Q101认证
应用领域
-电源线开关-电池充电器开关-用于LED、驱动器和背光灯的高端开关-便携式设备