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SUD19P06-60-E3
1个P沟道 耐压:60V 电流:18.3A
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- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行UIS测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：全桥转换器的高端开关。 液晶显示器的DC/DC转换器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SUD19P06-60-E3
- 商品编号
- C5126475
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V,10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 38.5W；2.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.71nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
AO4466采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。源极引脚相互分离，允许与源极进行开尔文连接，可用于旁路源极电感。
商品特性
- VDS(V) = 30 V
- ID = 10A
- RDS(ON) < 18 mΩ (VGS = 10 V)
- RDS(ON) < 25 mΩ (VGS = 4.5 V)