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FMD7N60E5
N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 特性：快速体二极管消除了零电压开关 (ZVS) 应用中对外部二极管的需求。 较低的栅极电荷导致更简单的驱动要求。 较高的栅极电压阈值提供了更好的抗噪性。 低导通电阻。 符合 RoHS 标准。应用：电机控制。 不间断电源
- 品牌名称
- Fortior Tech(峰岹)
- 商品型号
- FMD7N60E5
- 商品编号
- C5126653
- 商品封装
- TO-252T
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 84pF |
优惠活动
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(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
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