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AO4614
耐压:40V 电流:7A
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- 描述
- 特性：N沟道：VDS = 40V，ID = 8A；RDS(ON) < 19mΩ（VGS = 10V时）；RDS(ON) < 29mΩ（VGS = 4.5V时）。 P沟道：VDS = -40V，ID = -7A；RDS(ON) < 35mΩ（VGS = -10V时）；RDS(ON) < 45mΩ（VGS = -4.5V时）。 高功率和电流处理能力。 无铅产品。 表面贴装封装
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- AO4614
- 商品编号
- C5123920
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A；7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V；29mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V；13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF；112pF |
商品概述
东芝N沟道硅MOS型（π -MOSV）场效应晶体管2SK2865，适用于高速、大电流开关应用、斩波稳压器、DC-DC转换器和电机驱动应用
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 4.2Ω（典型值）
- 高正向传输导纳：|Yfs| = 1.7S（典型值）
- 低漏电流：IDSS = 100 μA（最大值）（VDS = 600V）
- 增强型：Vth = 2.0 ~ 4.0 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）
应用领域
- 斩波稳压器-DC-DC转换器-电机驱动-工业应用