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AO3401A
耐压:30V 电流:4.2A
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- 描述
- 特性：VDS = -30V，ID = -4.2A。RDS(ON) < 90mΩ @ VGS = -2.5V。RDS(ON) < 75mΩ @ VGS = -4.5V。RDS(ON) < 55mΩ @ VGS = -10V。应用：负载/电源开关。接口开关
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- AO3401A
- 商品编号
- C5122001
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V,4.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS技术制造。这项最新技术专门设计用于最小化导通电阻，并具备高抗雪崩特性。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
商品特性
- VDS = 650 V，ID = 4 A，在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 2.5 Ω
- 栅极电荷（典型值15 nC）
- 改善的dv/dt能力，高抗扰性
- 100%经过雪崩测试
- 最高结温范围（150°C）
应用领域
- 高效开关模式电源
- 有源功率因数校正
- 基于半桥拓扑的电子灯镇流器