温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN6075S
耐压:60V 电流:3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 应用：负载/电源开关。接口开关。超小型便携式设备的电池管理。逻辑电平转换
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- DMN6075S
- 商品编号
- C5122015
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@4.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 247pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用Wisdom先进的平面条形DMOS技术制造。这项最新技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，并具备高抗雪崩特性。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
商品特性
- VDS = 650 V，ID = 7 A，在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 1.2 Ω
- 栅极电荷（典型值28nC）
- 改善了dv/dt能力，具备高抗扰性
- 经过100%雪崩测试
- 最高结温范围（150°C）