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商品参数
参数完善中
商品特性
- 高性能高集成度单片式次级同步整流控制芯片，内部集成一个超低导通阻抗的N沟道的MOSFET以及一个同步整流的驱动及控制电路
- 被设计在非连续开关模式(DCM)下工作，内部集成的高性能N沟道MOSFET具有低开启阀值电压、超低导通阻抗，超快速开关特性
- 本体寄生的二极管具备超快速的反向恢复时间
- 能有效的降低次级整流管的功率损耗，内部电路通过检测MOSFET的VDS之间的电压变化产生一个理想的驱动信号来控制内部MOSFET的导通与截止
- 适合要求尺寸小，转换效率高的应用
- 采用SOP - 8封装
- 支持非连续模式 (DCM)
- 支持准谐振模式 (QRM)
- 内部集成高性能功率MOSFET
- 高度集成，只需极少外围器件
应用领域
- 充电器和适配器的同步整流
- 反激式控制器主要用于5V2A或2.4A输出