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JMTJ210P02A
P沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 特性：-20V，-7A，RDS(ON)<24.5mΩ @ VGS = -4.5V。RDS(ON)<32mΩ @ VGS = -2.5V。先进的沟槽技术。提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。获得无铅产品认证。应用：负载开关。PWM应用
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTJ210P02A
- 商品编号
- C5119913
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 231pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用Maple semi的先进超结技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将传导损耗降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合用于开关模式操作的AC/DC功率转换，以实现更高的效率。
商品特性
- -20V、-7A
- 在VGS = -4.5 V时,RDS(ON) < 24.5 mΩ
- 在VGS = -2.5 V时,RDS(ON) < 32 mΩ
- 先进沟槽技术
- 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 产品无铅
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理