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JMTJ210P02A
P沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 特性：-20V，-7A，RDS(ON)<24.5mΩ @ VGS = -4.5V。RDS(ON)<32mΩ @ VGS = -2.5V。先进的沟槽技术。提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。获得无铅产品认证。应用：负载开关。PWM应用
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTJ210P02A
- 商品编号
- C5119913
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@2.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 231pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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