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IS46QR16256B-083RBLA2
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- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS46QR16256B-083RBLA2
- 商品编号
- C5119925
- 商品封装
- BGA-96(13.5x7.5)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.2GHz | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 工作电压 | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；CRC功能；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；数据掩码功能 |
商品概述
DDR4 SDRAM是一种高速动态随机存取存储器，内部由8个存储体（2个存储体组，每个组有4个存储体）组成。它采用8n预取架构实现高速操作，该架构与接口相结合，可在I/O引脚每个时钟周期传输两个数据字。对DDR4 SDRAM的读写操作是突发式的，从选定位置开始，按编程顺序进行8个突发长度或4个“截断”突发的操作。操作始于激活命令的注册，随后是读或写命令。在正常操作之前，DDR4 SDRAM必须以预定义的方式加电并初始化。
商品特性
- 标准电压：VDD = VDDQ = 1.2V，VPP = 2.5V
- 高速数据传输速率，系统频率高达2666 Mbps
- 数据完整性：通过DRAM内置TS实现自动自刷新（ASR），具备自动刷新和自刷新模式，有DRAM访问带宽，按存储体组设置独立的I/O门控结构，支持自刷新中止，精细粒度刷新
- 信号同步：通过MR设置进行写电平校准，通过MPR进行读电平校准
- 可靠性与错误处理：命令/地址奇偶校验，数据总线写CRC，MPR读出，边界扫描（仅x16）
- 速度等级（CL - TRCD - TRP）：2400Mbps/16 - 16 - 16(-083R)，2666Mbps/18 - 18 - 18(-075U)
- 可编程功能：输出驱动器阻抗（34/48），CAS写延迟（9/10/11/12/14/16/18），附加延迟（0/CL - 1/CL - 2，仅x8），CS#到命令地址（3/4/5/6/8），突发类型（顺序/交错），写恢复时间（10/12/14/16/18/20/24），读前导码（1T/2T），写前导码（1T/2T），突发长度（BL8/BC4/BC4或8动态调整）
- 选项：配置为256Mx16、512Mx8；封装：x16采用96球BGA（7.5mm x 13.5mm，0.8mm球间距），x8采用78球BGA（10.0mm x 14.0mm，0.8mm球间距）
- 信号完整性：内部VREFDQ训练，读前导码训练，降速模式，每个DRAM可寻址性，可配置DS以实现系统兼容性，可配置片上端接，数据总线反相（DBI），通过外部ZQ焊盘（240欧姆 ± 1%）进行ZQ校准以确保DS/ODT阻抗精度
- 节能与效率：带VDDQ端接的POD，命令/地址延迟（CAL），最大节能，低功耗自动自刷新（LPASR）
- 工作温度：商业级（Tc = 0°C ~ +95°C），工业级（Tc = -40°C ~ +95°C），汽车A1级（Tc = -40°C ~ +95°C），汽车A2级（Tc = -40°C ~ +105°C），汽车A3级（Tc = -40°C ~ +125°C）