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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BPM0306CG

1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:6.5A

商品型号
BPM0306CG
商品编号
C5119867
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.14克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6.5A;7A
导通电阻(RDS(on))33mΩ@10V,6.5A
耗散功率(Pd)2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA;1.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)9.2nC@20V;13nC@15V
输入电容(Ciss@Vds)255pF@15V;520pF@15V
反向传输电容(Crss)65pF@15V;35pF@15V
工作温度-40℃~+105℃

商品概述

B50T070F N沟道MOSFET采用先进技术和设计,在低栅极电荷的情况下可实现出色的导通电阻RDS(ON)。

商品特性

  • 低栅极电荷可降低驱动要求和开关损耗
  • 低反向传输电容Crss(典型值3.2pF)
  • 快速开关
  • 改善的dv/dt能力
  • 100%雪崩测试
  • 快速反向恢复

应用领域

  • 高频开关模式电源
  • 电子镇流器
  • 不间断电源(UPS)
  • 电机驱动器

数据手册PDF