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BPM0306CG
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:6.5A
- 品牌名称
- BPS(上海晶丰明源)
- 商品型号
- BPM0306CG
- 商品编号
- C5119867
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A；7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@10V,6.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA；1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.2nC@20V；13nC@15V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 255pF@15V；520pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF@15V；35pF@15V | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ |
商品概述
B50T070F N沟道MOSFET采用先进技术和设计，在低栅极电荷的情况下可实现出色的导通电阻RDS(ON)。
商品特性
- N沟道
- VDS = 30V,ID = 6.5A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 30mΩ
- P沟道
- VDS = -30V,ID = -7A
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) < 33mΩ
- 高功率和电流处理能力
应用领域
-H桥-逆变器