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BP0405SCG
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:6A
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- 品牌名称
- BPS(上海晶丰明源)
- 商品型号
- BP0405SCG
- 商品编号
- C5119866
- 商品封装
- ESOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA；1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@10V；8.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 310pF@20V；370pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@20V；52pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 全桥 |
商品特性
- 栅源电压（VGS）为 -4.5V、漏极电流（ID）为 -0.7A 时，导通电阻（RDS(ON)）<325mΩ
- 栅源电压（VGS）为 -2.5V、漏极电流（ID）为 -0.6A 时，导通电阻（RDS(ON)）<420mΩ
- 栅源电压（VGS）为 -1.8V、漏极电流（ID）为 -0.5A 时，导通电阻（RDS(ON)）<600mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 专为开关负载、脉宽调制（PWM）应用等设计
- 静电放电（ESD）防护达 2KV 人体模型（HBM）
- 符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令的无铅产品
- 符合 IEC61249 标准的绿色模塑料（无卤）