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BP0405SCG
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:6A
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- 描述
- 主芯版本/辅芯版本X1AB 24 档位N
- 品牌名称
- BPS(上海晶丰明源)
- 商品型号
- BP0405SCG
- 商品编号
- C5119866
- 商品封装
- ESOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V；1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@10V；8.5nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 310pF；370pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF；50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 全桥 | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
BP0405SCG采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于各种应用。
商品特性
- N沟道
- 漏源电压VDS = 40V,漏极电流ID = 6A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 26mΩ
- P沟道
- 漏源电压VDS = -40V,漏极电流ID = -5A
- 当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 60mΩ
- 高功率和电流处理能力
应用领域
-H桥-逆变器