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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

B50T040F

1个N沟道 耐压:500V 电流:4A

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商品型号
B50T040F
商品编号
C5119864
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.37克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)4A
属性参数值
导通电阻(RDS(on))3.6Ω
耗散功率(Pd)-
输入电容(Ciss@Vds)2.1pF
工作温度-40℃~+105℃

商品特性

  • 漏源导通电阻RDS(ON),栅源电压VGS为10V、漏极电流ID为250mA时,小于4.2Ω
  • 漏源导通电阻RDS(ON),栅源电压VGS为4.5V、漏极电流ID为100mA时,小于5Ω
  • 漏源导通电阻RDS(ON),栅源电压VGS为2.5V、漏极电流ID为50mA时,小于7Ω
  • 先进的沟槽工艺技术
  • 静电放电保护
  • 符合欧盟RoHS 2.0的无铅产品
  • 符合IEC 61249标准的绿色模塑料

数据手册PDF