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NCE82H160
1个N沟道 耐压:82V 电流:160A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷。可用于各种应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE82H160
- 商品编号
- C5116526
- 商品封装
- TO-220-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 82V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 285W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 201nC | |
| 输入电容(Ciss) | 11.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 461pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
B50T040F N沟道MOSFET采用先进技术，可实现最低的RDS(ON)和卓越的开关性能。它还能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。
商品特性
- 漏源电压VDS = 82V,漏极电流ID = 160A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 4.5 mΩ(典型值:3.8 mΩ)
- 采用特殊工艺技术,具备高静电放电(ESD)能力
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高单脉冲雪崩能量耐量(EAS),稳定性和一致性良好
- 采用优秀封装,散热性能良好
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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