商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.985nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 124pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源电压 VDS = 60V
- 漏极电流 ID = 50A
- 在栅源电压 VGS = 10V 时，导通电阻 RDS(on) < 15mΩ
- 在 V = 4.5V 时，R < 21mΩ
- 快速开关
- 低栅极电荷和导通电阻
- 先进的沟槽技术
应用领域
- DC-DC 转换器
- PWM 应用
- 电源管理