商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.396nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 291pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- VDS = -30V
- ID = -50A
- R（V = -10V时）＜ 10mΩ
- R（V = -4.5V时）＜ 14mΩ
- 100%雪崩测试
- 电压控制小信号开关
- 先进的沟槽技术
应用领域
- 锂电池保护
- 无线冲击
- 手机快速充电