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HB65N6H0SJ
HB65N6H0SJ
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- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HB65N6H0SJ
- 商品编号
- C53664502
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.520161克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 651pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源电压 VDS = 650V
- 漏极电流 ID = 8A
- 在栅源电压 VGS = 10V 时，导通电阻 RDS(on) ＜ 0.6Ω
- 快速开关
- 低栅极电荷和导通电阻
- 超结技术
应用领域
- 不间断电源
- PWM 应用
- 电源管理
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