商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 135W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.335nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源电压 VDS = 100V
- 漏极电流 ID = 100A
- 栅源电压为10V时导通电阻 RDS(on) < 7.7mΩ
- 栅源电压为4.5V时导通电阻 RDS(on) < 10mΩ
- 先进的分裂栅沟槽技术
- 电压控制小信号开关
- 快速开关速度
应用领域
- DC/DC转换器
- LED背光
- 电源管理开关