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2N7002KT
N沟道MOSFET，低栅极阈值电压、低输入电容、快速开关速度，适用于便携式设备负载开关和电压控制小信号开关
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- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- 2N7002KT
- 商品编号
- C53664480
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.015578克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 300pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 31pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- VDS = 60V
- ID = 0.34A
- RDS(on) 在 VGS = 10V 时 < 3Ω
- R 在 VGS = 4.5V 时 < 5Ω
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
应用领域
- 便携式设备的负载开关
- 电压控制小信号开关