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HW2EP190S
P沟道MOSFET，采用先进沟槽单元设计，低热阻、开关速度快，适用于便携式设备负载开关和电压控制小信号开关
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- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HW2EP190S
- 商品编号
- C53664482
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.204nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 167pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- VDS = -25V
- ID = -22A
- RDS(on) 在 VGS = -10V 时 < 19mΩ
- R 在 V = -4.5V 时 < 45mΩ
- 先进的沟槽单元设计
- 低热阻
- 快速开关速度
应用领域
- 便携式设备的负载开关
- 电压控制小信号开关