温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HW03N390S
N沟道MOSFET，采用先进沟槽单元设计，低热阻、低栅极电荷，适用于电机/车身负载控制、DC-DC转换器和负载开关
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HW03N390S
- 商品编号
- C53664481
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025789克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 515pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- V = 30V
- I = 5.5A
- RDS(导通)@VGS = 10V < 39mΩ
- R@V = 4.5V < 59mΩ
- 先进的沟槽单元设计
- 低热阻
- 低栅极电荷
应用领域
- 电机/车身负载控制
- DC-DC 转换器
- 负载开关