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HW02N130S
N沟道MOSFET，采用先进沟槽单元设计，低热阻、低栅极电荷，适用于电机/车身负载控制、DC-DC转换器和负载开关
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- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HW02N130S
- 商品编号
- C53664478
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 782pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- VDS = 20V
- I = 8.7A
- R 在 V = 4.5V 时 < 14.5mΩ
- R 在 V = 2.5V 时 < 19mΩ
- 先进的沟槽单元设计
- 低热阻
- 低栅极电荷
应用领域
- 电机/车身负载控制
- DC-DC 转换器
- 负载开关