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AP3003

N和P沟道增强型MOSFET,低导通电阻、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出泄漏,无铅且符合RoHS标准

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品牌名称
YTL(亚特联)
商品型号
AP3003
商品编号
C53477433
商品封装
SOT-23-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.036267克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)3.3A;4.6A
导通电阻(RDS(on))83mΩ@10V;34mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)3.1nC;2.1nC
属性参数值
输入电容(Ciss)254pF;190pF
反向传输电容(Crss)7pF;26pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)14pF;36pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

这款新一代MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 低导通电阻
  • 低输入电容
  • 快速开关速度
  • 低输入/输出泄漏
  • 完全无铅且完全符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,“绿色”器件

应用领域

  • 背光照明
  • DC-DC转换器
  • 电源管理功能

数据手册PDF