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LCBA3134K
N沟道沟槽MOSFET，具备低导通电阻、低逻辑电平栅极驱动、ESD保护功能，适用于负载/电源开关、接口开关、电池管理和逻辑电平转换
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- 品牌名称
- YTL(亚特联)
- 商品型号
- LCBA3134K
- 商品编号
- C53477439
- 商品封装
- SOT-883
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0096克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 79pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
商品特性
- 获得无铅产品认证
- 表面贴装封装
- 具有低导通电阻（RDS(on)）的N沟道开关
- 可在低逻辑电平栅极驱动下工作
- 栅极具有ESD保护
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理
- 逻辑电平转换