BSDL10S65E6-HXY

BSDL10S65E6-HXY

描述

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）达650V，典型正向压降（VF）为1.37V，导通损耗较低。其非重复浪涌正向电流（IFSM）为80A，具备良好的瞬态电流承受能力。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频工作条件下仍能保持高效性能和快速开关响应，适用于高效率电源转换、开关模式电源及高频整流等应用场合。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

BSDL10S65E6-HXY

商品编号

C53467912

商品封装

DFN-5B(8x8)​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)