VS3EGH06-M3/5BT-HXY

VS3EGH06-M3/5BT-HXY

描述

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，具有3A的额定正向电流（IF）和600V的最大反向重复电压（VR）。其正向压降（VF）为1.7V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为5μA，表明在阻断状态下具备优异的绝缘性能。器件可承受80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频开关电源、AC-DC整流及对恢复特性要求较高的电力电子应用场合。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

VS3EGH06-M3/5BT-HXY

商品编号

C53467933

商品封装

SMB​

包装方式

编带

商品毛重

0.17克(g)