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SI2301K
P沟道先进功率MOSFET，采用表面贴装封装，具备低导通电阻、低逻辑电平栅极驱动和HMB ESD保护功能，适用于负载/电源开关、接口和逻辑开关等应用
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- 品牌名称
- YTL(亚特联)
- 商品型号
- SI2301K
- 商品编号
- C53433003
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.010475克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 660mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 430mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 113pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 获得无铅产品认证
- 表面贴装封装
- 具有低导通电阻（RDS(on)）的P沟道开关
- 可在低逻辑电平栅极驱动下工作
- 具备2KV的人体模型（HMB）静电放电（ESD）保护
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口、逻辑开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理