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AO4407(PT)
P沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽工艺技术和高密度单元设计，实现超低导通电阻，且为无铅产品
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- 描述
- -30V/-12A 低内阻P沟道MOS管 电源开关
- 品牌名称
- RUILON(瑞隆源)
- 商品型号
- AO4407(PT)
- 商品编号
- C53413282
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.185333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@20V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37.2nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.076nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 302pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 503pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 先进的沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 获得无铅产品认证