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2N7002K_R1_005B3
N沟道增强型MOSFET，具备ESD保护，适用于电池供电系统和固态继电器驱动
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- 2N7002K_R1_005B3
- 商品编号
- C53413303
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 35pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- RDS(ON)，VGS@10V，ID@500mA < 3Ω
- RDS(ON)，VGS@4.5V，ID@200mA < 4Ω
- 先进的沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 关断状态下漏电流极低
- 专为电池供电系统、固态继电器驱动器设计，如继电器、显示器、存储器等
- ESD 保护 2KV HBM
- 符合欧盟 RoHS 2.0 标准的无铅产品
- 符合 IEC 61249 标准的绿色模塑料