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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MIC4428YM-HX

双路低侧MOSFET驱动器,采用iCMOS/DMOS工艺,高效节能、可靠性高,适用于驱动功率MOSFET等负载

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描述
MIC4428YM-HX双低侧MOSFET驱动器系列采用BiCMOS/DMOS工艺制造,提供高效的功率使用和高可靠性。这些驱动器将来自TTL或CMOS的输入逻辑电平转换为输出电压电平,该输出电压电平可在正电源或地的25mV范围内摆动。该驱动器有三种配置:双反相、双同相以及一个反相加一个同相输出。它们旨在取代其他型号,提供改进的电气性能和耐用性
商品型号
MIC4428YM-HX
商品编号
C53284320
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.25156克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置低边
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)4A
拉电流(IOH)4A
工作电压4.5V~25V
上升时间(tr)40ns
属性参数值
下降时间(tf)40ns
传播延迟 tpLH17ns
传播延迟 tpHL23ns
特性-
工作温度-
输入高电平(VIH)1.4V~2.4V
输入低电平(VIL)800mV~1.1V
静态电流(Iq)-

商品概述

MIC4428YM-HX系列双路低边MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造,具有高效能功耗和高可靠性。这些驱动器将来自TTL或CMOS的输入逻辑电平转换为输出电压摆幅,其摆幅在正电源或地电位的25 mV范围内。这与双极型器件形成对比,后者只能摆幅至电源电压1V范围内。MIC4428YM-HX驱动器提供三种配置:双路反相、双路非反相以及一路反相加一路非反相输出。它们旨在替代MIC4428YM-HX和MIC4428YM-HX,提供改进的电气性能和鲁棒性。该驱动器能够承受高达500 mA的反向电流(任意极性)而不发生闩锁,同时地引脚可承受高达5 V的噪声尖峰(任意极性)。这些驱动器主要设计用于驱动功率MOSFET,但也适用于驱动其他需要低阻抗、高峰值电流和快速开关时间的负载。其他潜在应用包括驱动重负载时钟线、同轴电缆或压电换能器。必须注意,驱动器的总功耗不得超过封装限制。对于高功率和窄脉冲应用,请参阅MIC4428YM-HX。

商品特性

  • 4A峰值输出电流
  • 闩锁保护,可承受大于500 mA反向电流
  • 4.5V至25V工作电压范围
  • 在25 ns内开关1000 pF负载
  • 低静态电源电流
  • 逻辑1输入时为4 mA
  • 逻辑0输入时为400 μA
  • 匹配的上升和下降时间
  • 7Ω输出阻抗
  • 典型延迟小于40 ns
  • 逻辑输入保护至–5V
  • 逻辑输入阈值与电源电压无关
  • 典型等效输入电容为6 pF
  • 最大输出偏移(相对于电源或地)为25 mV

应用领域

  • MOSFET驱动器
  • 压电换能器驱动器
  • 同轴电缆驱动器
  • 时钟线驱动器

数据手册PDF