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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MIC4426YM-HX

基于iCMOS/DMOS工艺的双路低侧MOSFET驱动器,高效节能、可靠性高,可将输入逻辑电平转换为输出电压电平

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描述
MIC4426/4427/4428YM-HX系列双路低端MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造,具有高效的功率利用率和高可靠性。这些驱动器可将来自TTL或CMOS的输入逻辑电平转换为输出电压电平,输出电压在正电源或地的25 mV范围内摆动。HX4426/4427/4428驱动器有三种配置:双路反相、双路同相以及一路反相加一路同相输出
商品型号
MIC4426YM-HX
商品编号
C53284322
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.25148克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置低边
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)1.5A
拉电流(IOH)1.5A
工作电压4.5V~25V
上升时间(tr)40ns
属性参数值
下降时间(tf)40ns
传播延迟 tpLH17ns
传播延迟 tpHL23ns
特性-
工作温度-
输入高电平(VIH)1.4V~2.4V
输入低电平(VIL)800mV~1.1V
静态电流(Iq)400uA

商品概述

该系列双通道低侧MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造,具有高效的功耗利用和高可靠性。这些驱动器将来自TTL或CMOS的输入逻辑电平转换为输出电压摆幅,其输出可在正电源或地电位的25 mV范围内摆动。相比之下,双极型器件通常只能在电源电压的1V范围内摆动。该驱动器提供三种配置:双反相、双非反相以及一个反相加一个非反相输出。它们旨在替代HX426/427/428和MIC4426YM-HX系列,提供更优的电气性能和鲁棒性。该驱动器具有极高的耐用性,能够承受高达500 mA的反向电流(任意极性)而不发生闩锁,并且地引脚可承受高达5V的噪声尖峰(任意极性)。这些驱动器主要用于驱动功率MOSFET,但也适用于驱动其他需要低阻抗、高峰值电流和快速开关时间的负载。其他潜在应用包括驱动重负载时钟线、同轴电缆或压电换能器。必须注意,驱动器的总功耗不得超过封装限制。对于高功率和窄脉冲应用,请参考MIC4426YM-HX。

商品特性

  • 4A峰值输出电流
  • 闩锁保护能力大于500 mA反向电流
  • 4.5V至25V工作电压范围
  • 可在25 ns内开关1000 pF负载
  • 低静态电源电流
  • 逻辑1输入时为4 mA
  • 逻辑0输入时为400 μA
  • 匹配的上升和下降时间
  • 7Ω输出阻抗
  • 典型延迟小于40 ns
  • 逻辑输入保护至–5V
  • 逻辑输入阈值与电源电压无关
  • 典型等效输入电容为6 pF
  • 相对于电源或地的最大输出偏移为25 mV

应用领域

  • MOSFET驱动器
  • 压电换能器驱动器
  • 同轴电缆驱动器
  • 时钟线驱动器

数据手册PDF