- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AOT66920L
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 485pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
- 沟槽功率MOSFET - AlphaSGTTM技术
- 低导通电阻RDS(ON)
- 逻辑电平驱动
- 出色的栅极电荷QG与导通电阻RDS(ON)乘积(品质因数FOM)
- 符合RoHS标准且无卤
应用领域
-高频开关和同步整流