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AO3481C
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.3A
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- 描述
- 沟槽功率MOSFET技术。 低导通电阻RDS(ON)。 低栅极电荷。 符合RoHS标准且无卤
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AO3481C
- 商品编号
- C541721
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V,4.3A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 720pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |