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AOSP21357
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V,16A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.75V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.83nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 365pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品概述
- 最新先进沟槽技术
- 低 RDS(on)
- 高电流承载能力
- 符合 RoHS 和无卤要求
应用领域
- 笔记本电脑交流输入负载开关-电池充放电保护