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AOSD62666E
2个N沟道 耐压:60V 电流:9.5A
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- 描述
- 采用Trench Power AlphaSGT技术，具有低RDS(ON)、逻辑电平栅极驱动、ESD保护、出色的栅极电荷x RDS(ON)乘积（FOM），符合RoHS和无卤标准。VDS为60V，Ip（在VGS = 10V时）为9.5A，RDS(ON)（在VGS = 10V时）<14.5mΩ，RDS(ON)（在VGS = 4.5V时）<19mΩ。
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOSD62666E
- 商品编号
- C541719
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.5mΩ@10V,9.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 755pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |