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NSG5109
自举工作的浮动通道高压高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，集成保护电路，兼容低电平逻辑，具备大电流脉冲输出能力
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- 品牌名称
- WXNSIC(国硅集成)
- 商品型号
- NSG5109
- 商品编号
- C53190621
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2224克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 4.3A | |
| 拉电流(IOH) | 4.3A | |
| 工作电压 | 7V~17V | |
| 上升时间(tr) | 12ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 12ns | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 95uA | |
| 功能特性 | 使能关断；内置自举二极管；交错导通保护；死区时间控制；过流保护；充电泵升压 |
商品概述
该器件是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，具有两个独立的传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4.3A，其浮地通道最高工作电压可达100V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。
商品特性
- 自举工作的浮动通道
- 最高工作电压为100V
- 兼容3.3V， 5V输入逻辑
- dV/dt耐受能力可达±50 V/nsec
- Vs负压耐受能力达-9V
- 高、低侧欠压锁定电路
- 高侧欠压锁定正向阈值5.1V
- 高侧欠压锁定负向阈值3.95V
- 低侧欠压锁定正向阈值5V
- 低侧欠压锁定负向阈值3.6V
- 芯片开通/关断传输延时：Ton/Toff =120ns/120ns
- 高低侧延时匹配
- 驱动电流能力：拉电流/灌电流=4.3A/4.3A
- 符合RoSH标准SOP8封装
应用领域
- 电信和数据通信电源
- 半桥转换器
- 推挽式转换器
- 高压同步降压转换器
- 电机控制
- 电动助力转向系统
- D类音频放大器