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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
XJNG2102D
自举工作的浮地通道高压高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，具有独立输出通道，采用高低压兼容工艺，集成欠压锁定和防直通死区逻辑
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- 品牌名称
- WXNSIC(国硅集成)
- 商品型号
- XJNG2102D
- 商品编号
- C53190622
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | - | |
| 灌电流(IOL) | 1.5A | |
| 拉电流(IOH) | 1.2A | |
| 工作电压 | 6V~20V | |
| 上升时间(tr) | 50ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 40ns | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 160uA | |
| 功能特性 | 内置自举二极管；交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
XJNG2102D 是一款高压、高速、单相高低侧功率 MOSFET 与 IGBT 驱动芯片。它集成了独立的高侧和低侧参考输出通道。该芯片采用高低压兼容工艺，将高侧和低侧栅极驱动电路集成于单芯片中。其逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平。输出级具备大电流脉冲驱动能力，并集成了防止直通的死区逻辑。其浮动通道可用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，最高工作电压可达 250V。该芯片采用 SOP8 封装，工作温度范围为 -40℃ 至 125℃。
商品特性
- 支持自举工作的浮地通道
- 最高工作电压为 +250V
- 兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻辑
- dVs/dt 耐受能力可达 ±50 V/ns
- Vs 负偏压能力达 -9V
- 栅极驱动电压范围从 6V 到 20V
- 集成欠压锁定电路：VCC欠压锁定正向阈值 5.5V，负向阈值 5V；VBS 欠压锁定阈值 3.6V
- 集成防直通死区逻辑，死区时间设定为 200ns
- 芯片传输延时特性：开通/关断传输延时 Ton/Toff = 150ns/140ns，延迟匹配时间 50ns
- 宽工作温度范围：-40°C ~ 125°C
- 输出级拉电流/灌电流能力为 1.2A/1.5A
- 符合 RoHS 标准
- 采用 SOP8 封装
应用领域
- 电机控制
- 空调/洗衣机