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XJNG21531D
高压高速自振荡半桥MOSFET/IGBT驱动芯片，内置死区和自举电路，简化外围电路
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- 品牌名称
- WXNSIC(国硅集成)
- 商品型号
- XJNG21531D
- 商品编号
- C53190624
- 商品封装
- SOP8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2344克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 1.5A | |
| 拉电流(IOH) | 1.2A | |
| 工作电压 | 8.28V~16.8V | |
| 上升时间(tr) | 120ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 50ns | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 800uA | |
| 功能特性 | 交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
高压、高速功率MOSFET自振荡半桥驱动芯片。其浮动通道可用于驱动高低侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达600V。内置0.6μs死区电路，可以有效防止高低侧功率管直通。内置自举电路，可以简化芯片外围电路。采用SOP8封装，可以在-40°C ~ 125°C温度范围内工作。
商品特性
- 最高工作电压为 +600V
- CT、RT可编程振荡器
- 微功率启动
- CT引脚上的非锁定关断特性（1/6 VCC）
- VCC钳位电压为15.6V
- 集成VCC欠压锁定电路
- 正/负欠压阈值：9.2V/8.3V
- 集成VBS欠压锁定电路，正/负欠压阈值：8.8V/8.0V
- 死区时间 DT = 0.6μs
- 输出级拉电流/灌电流能力 1.2A/1.5A
- dV/dt耐受能力可达 ±50V/nsec
- 集成自举
- 宽温度范围 -40°C ~ 125°C
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源管理
- 电子照明
- 逆变器
- 电机驱动