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XR65R36H
超结功率MOSFET，低栅极电荷，适用于PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用
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- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR65R36H
- 商品编号
- C53159630
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.143333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 220W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.55V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 127nC@32V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.51nF |
商品概述
XR65R36H采用超结技术和设计，提供优异的导通电阻和低栅极电荷。这款超结MOSFET满足行业对功率因数校正、AC-DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源要求。XR65R36H符合RoHS和绿色产品要求，100%能量单脉冲雪崩击穿耐量保证，并通过了全面的功能可靠性验证。